onsemi Unveils World’s First TOLL-packaged 650 V Silicon Carbide MOSFET

2022년 5월 11일 – 지능형 전력 및 센싱 기술의 선도 기업 온세미(나스닥: ON)는 PCIM 유럽에서 세계 최초의 TOLL (TO-Leadless) 패키지형 SiC(Silicon Carbide) MOSFET을 발표했다. 이 새로운 트랜지스터는 높은 수준의 전력 밀도가 필요한 설계에 적합한 고성능 스위칭 장치의 수요 급증을 충족시킬 것으로 기대된다. 촤근까지 SiC 제품은 훨씬 더 많은 공간을 필요로 하는 D2PAK 7-lead 패키지로 제공되어 왔다.

TOLL 패키지는 실장 면적이 9.90mm x 11.68mm로, D2PAK 패키지에 비해 PCB 면적을 30% 줄일 수 있다. 또한 두께가 2.30mm로 D2PAK 패키지보다 60% 적은 공간을 차지한다.

TOLL 패키지는 크기가 작을 뿐만 아니라 D2PAK 7-lead보다 우수한 열 성능과 낮은 패키지 인덕턴스(2nH)를 갖는다. Kelvin 소스 구성은 Kelvin 구성이 없는 장치에 비해 턴-온 손실(EON)이 60% 감소되는 등 게이트 노이즈를 낮추고 스위칭 손실을 줄여주며, 까다로운 전력 설계에서 효율성과 전력 밀도를 크게 향상시키고 EMI 개선 및 PCB 설계를 용이하게 한다.

온세미의 아시프 자콰니(Asif Jakwani) 어드밴스드 파워 부문 수석부사장은 "좁은 공간에서 매우 안정적인 전력 설계를 제공할 수 있는 능력은 산업, 고성능 전원 공급 장치 및 서버 애플리케이션을 포함한 많은 분야에서 경쟁 우위를 가지고 있다"고 말하고, "TOLL 패키지를 온세미의 동급 최고 SiC MOSFET에 적용함으로써 공간이 줄어들 뿐만 아니라 EMI와 같은 많은 영역에서 성능이 향상되고 손실이 줄어든다. 그 결과 설계자가 어려운 전력 설계를 해결하는데 필요한 신뢰성과 내구성을 갖춘 고성능 스위칭 제품이 탄생했다"고 말했다.

SiC 제품은 고주파에서의 효율성 향상, 낮아진 EMI, 높아진 동작 온도 및 더욱 높은 신뢰성을 포함하여 이전 세대 실리콘 제품에 비해 큰 이점을 제공한다. 온세미는 SiC boule 성장, 기판, 에피택시, 제품 제작, 동급 최고의 집적 모듈 및 개별 패키지 솔루션을 포함한 수직 통합 능력을 갖춘 유일한 SiC 솔루션 공급업체이다.

TOLL 패키지로 공급되는 첫 번째 SiC MOSFET은 SMPS, 서버 및 통신 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 무 정전 전원 공급 장치(UPS) 및 에너지 스토리지를 포함한 까다로운 애플리케이션을 위한 NTBL045N065SC1이다. 이 제품은 ErP 및 80 PLUS Titanium과 같은 가장 까다로운 효율성을 요구하는 표준들을 충족해야 하는 설계에 적합하다.

또한, NTBL045N065SC1은650 V의 VDSS 정격에 RDS(on)은 33mΩ(TYP)에 불과하며 최대 드레인 전류(ID)는 73A이다. WBG SiC 기술을 기반으로 하는 이 제품은 최대 동작 온도가 175°C이고 초 저 게이트 충전(QG(tot) = 105nC)으로 스위칭 손실을 크게 줄여준다. 또한 TOLL 패키지는 MSL 1(습도 감도 레벨 1) 등급으로, 대량 생산 시에 낮은 불량률을 보장한다.

온세미는 TO-247 3 리드와 4 리드 패키지 및 D2PAK 7 리드 패키지의 자동차용 제품들도 공급한다.