この提携により、大量生産かつコストが最適化された世界規模のGaN製造能力が加わり、エネルギー効率の高いパワーデバイスの市場投入が加速されます。
概要:
オンセミは、イノサイエンスの実績ある200mm GaN-on-Siプロセスを活用して、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの生産拡大を検討するために、同社との間で覚書を締結したことを発表しました。この協業は、オンセミのシステムインテグレーション、ドライバ、パッケージングの専門知識と、イノサイエンスのGaNウェハおよび大量生産におけるリーダーシップを融合させ、費用対効果の高い省エネルギーソリューションをより迅速に市場へ提供し、GaNの普及を加速させることを目的としています。
ニュースハイライト:
- 本協業により、オンセミの低・中電圧GaNパワーポートフォリオが拡充され、世界規模でGaN製造を拡大することで、市場投入の迅速化と採用拡大を目指します。
- この法的拘束力のない覚書（MOU）は、ウェハ調達や拡張的な提携を含む戦略的パートナーシップを定め、オンセミのGaNパワーソリューションとイノサイエンスの先進的なウェハ製造を活用することで、2030年までに29億ドル規模と予測されるGaNパワーデバイスの獲得可能な最大市場規模（TAM）をターゲットとし、その結果、両社に数億ドル規模の潜在的な価値をもたらします。
- この取り決めは、具体的にはオンセミのパッケージング、ドライバ、システムインテグレーションの専門性と、イノサイエンスの実績あるウェハ製造能力を組み合わせることで、両社が顧客に大きな価値を提供するための取り組みを支援するものです。
- 両社の技術を融合することで、産業、自動車、通信インフラ、コンシューマー、AIデータセンター市場向けに、より小型で高効率なGaNソリューションを実現することが期待されます。
2025年12月2日、米国アリゾナ州スコッツデールおよび中国蘇州 – オンセミとイノサイエンスは、40～200Vから開始するGaNパワーデバイスの展開を加速し、顧客の採用を大幅に拡大する可能性を検討するための覚書（MOU）を締結したことを発表しました。このMOUで定められた提携は、オンセミの統合システムとパッケージングにおけるリーダーシップと、イノサイエンスの実績あるGaN技術および量産能力を融合し、産業、自動車、通信インフラ、コンシューマー、AIデータセンター市場向けに、費用対効果が高く高効率なGaN製品の提供を可能にするものです。
GaN半導体デバイスは、高速スイッチング、小型化、低エネルギー損失を実現し、より少ないスペースでより高い出力を提供します。これまで、低・中電圧分野では製品ラインアップと製造能力の制約により、GaNの普及が遅れていました。この提携を通じて、両社はこれらの障壁を克服し、以下の主流市場向けに最適化されたGaNソリューションを世界規模で大量かつ迅速に展開することを目指します。
- 産業：ロボット用モータードライブ、ソーラーマイクロインバータ、オプティマイザー
- 自動車：DC-DCコンバータ、同期整流
- 通信インフラ：DC-DCコンバータ、ポイントオブロードコンバータ
- コンシューマー・マスマーケット：電源、アダプター、DC-DCコンバータ、モータードライブ、オーディオ、ライトeモビリティ、電動工具、ロボット
- AIデータセンター：中間バスコンバータ、DC-DCコンバータ、バッテリーバックアップユニット
オンセミのお客様にとって、イノサイエンスとの提携により以下のことが期待されます。
- より迅速な市場投入：オンセミのシステム専門知識とイノサイエンスの実績あるGaN技術および製造能力を活用し、迅速なプロトタイピング、デザインインの加速、主流市場への迅速な参入を達成
- ケーラブルな製造：オンセミのグローバル統合およびパッケージングの経験とイノサイエンスの確立されたGaN生産能力を活用し、大量生産の立ち上げに対応できる真のマスマーケット拡張性を実現
- システムコストの低減：最適化されたパッケージ、部品点数の削減、簡素化された熱管理による、コンパクトな設計と低い総システムコストを実現
オンセミでコーポレート戦略担当副社長を務めるアントワーヌ・ジャラベール（Antoine Jalabert）は次のように述べています。
「あらゆる分野で電力需要が高まる中、GaNは他の材料と比較して、より高い効率、小型サイズ、低いエネルギー損失を提供します。これまで、低電圧および中電圧の分野では、コストと供給の制約がGaNの広範な普及を妨げていました。イノサイエンスとの提携により、当社は業界最大のGaN生産拠点にアクセスできるようになり、世界中の顧客向けに当社のGaN製品を迅速に拡大し、主流の電力アプリケーションのより広範な採用を促進できるものと期待しています」
イノサイエンスで製品・エンジニアリング担当シニアバイスプレジデントを務めるYi Sun氏は、次のように述べています。
「GaN技術は、電子機器の改善、より小型で効率的な電力システムの構築、節電、CO2排出量の削減に不可欠です。イノサイエンスは、GaNパワーの世界的な普及を拡大・加速し、オンセミの幅広いポートフォリオを活用したシステム統合プラットフォームを構築するために、オンセミとの戦略的提携の機会を探ることに期待しています」
包括的なインテリジェントパワーポートフォリオ
GaNは2030年までに、世界のパワー半導体市場の約29億ドル（シェア11%）を獲得すると予測されており、2024～2030年の年平均成長率は42%1と見込まれています。このイノサイエンスとの提携は、現在シリコン、シリコンカーバイド（SiC）、GaN技術を網羅するオンセミの包括的なインテリジェントパワーポートフォリオをさらに強化するものです。これらの技術を組み合わせることで、オンセミはAIデータセンター、自動車、産業、コンシューマーの各分野でアプリケーションに最適な電力システムを提供することが可能になります。この包括的な低・中電圧ポートフォリオは、世界的な電化とAIによるエネルギー需要が急増し続ける中で、性能とエネルギー効率の最大化で顧客を支援する、全面的に統合された電力システムの主要プロバイダーとしてのオンセミの地位を強固なものにします。
スケジュールと提供時期
オンセミは、2026年前半にサンプル提供を開始する予定です。
参考資料
1出典： Yole Power GaN 2025
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イノサイエンスについて
イノサイエンス（HKEX:02577.HK）は、8インチGaN-on-Siプロセスの革新とパワーデバイス製造におけるグローバルリーダーです。イノサイエンスのデバイス設計とデバイス性能はGaNの世界標準を確立しており、同社のGaN製品は15Vから1200VまでをカバーするGaNプロセスノードにより、複数の低・中・高電圧アプリケーションで過半数の市場シェアを獲得しています。イノサイエンスの製品は、コンシューマー、自動車、データセンター、再生可能エネルギーの各分野において、高い信頼性、性能、機能性で広く知られています。詳細については、http://www.innoscience.com/.をご覧ください。
