ON Semiconductor Further Extends Scope of IGBT Offering with 1200 V Devices Based on 3rd Generation Ultra Field Stop Technology

2016년 5월 13일 - 에너지 효율 혁신을 주도하고 있는 온세미컨덕터(Nasdaq: ON;www.onsemi.com)가 자사 소유의 울트라 필드 스탑 트렌치 기술을 이용한 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 새로운 시리즈를 발표했다. NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG그리고 NGTB40N120L3WG의 세 가지 모델로 출시된 이 제품들은 높은 수준의 작동 성능을 전달해 최신 스위칭 애플리케이션의 정확한 요구에 부응하도록 설계되었다.

이 1200 볼트 (V)용 소자들은 업계를 선도하는 '토탈 스위칭 손실 (Ets)' 특성을 제공한다. 매우 넓고 높게 활성화된 '필드 스탑 층'과 최적화된 'co-pack' 다이오드를 특징으로 하는 이 제품들은 기존 제품들에 비해 획기적인 성능 개선 효과를 제공한다.

NGTB40N120FL3WG는 2.7 밀리줄 (mJ)의 Ets를, NGTB25N120FL3WG는 1.7mJ를 제공하는데 두 소자 모두 각각의 정격 격류에서 1.7V의 VCEsat를 갖는다. NGTB40N120L3WG는 저전도 손실에 최적화 되어 있으며 정격 전류에서 1.55V의 VCEsat 와 3mJ의 Ets를 제공한다.

이번에 출시된 '울트라 필드 스탑' 제품들은 soft 턴-오프 기능을 제공하면서도 역 회복 손실을 최소화하는 고속 회복 다이오드와 함께 실장 된다. NGTB25N120FL3WG 와NGTB40N120FL3WG는 무정전 전원 장치 (UPS)와 태양열 인버터에 최적화되어 있으며 NGTB40N120L3WG는 모터 드라이브가 중요 애플리케이션이다.

“당사가 출시한 새로운 '울트라 필드 스탑' IGBT는 고속 회복 다이오드와 함께 VCEsat 와 Ets 가 완벽하게 조화를 이루도록 스윗 스팟 기능을 제공함으로써 다양한 범위의 스위칭 구동 주파수에 걸쳐서 스위칭 손실을 줄이는 동시에 어려운 스위칭 애플리케이션의 전력 효율성을 강화했다. 이 기술은 엔지니어들이 IGBT로부터 기대하는 원가 절감 및 안정적인 작동을 모두 제공한다”고 온세미컨덕터의 파워 소자 사업부 수석이사 및 총괄 담당 아시프 자콰니 (Asif Jakwani)가 말했다.

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