PHOENIX – 7 dicembre, 2021 – onsemi (Nasdaq: ON), azienda leader nei settori delle tecnologie di rilevamento e della potenza intelligente, ha annunciato l'introduzione della nuova famiglia SUPERFET® V formata da MOSFET da 600 V. Grazie a questi dispositivi a elevate prestazioni è possibile realizzare alimentatori conformi alle più severe normative di efficienza come a esempio 80 PLUS Titanium, specialmente nelle condizioni più impegnative (ovvero con il carico al 10%). La serie SUPERFET da 600 V comprende in particolare tre linee di prodotto – FAST, Easy Drive e FRET – ottimizzate per garantire le migliori prestazioni in una vasta gamma di applicazioni e topologie.
I componenti la linea SUPERFET V da 600 V si distinguono per le eccellenti caratteristiche di commutazione e il ridotto rumore di gate, assicurando migliori prestazioni contro le interferenze elettromagnetiche (EMI), un vantaggio sicuramente importante per server e sistemi telecom. Un diodo intrinseco (body diode) robusto e un elevato valore di VGSS (DC +- 30 V) contribuiscono a incrementare l'affidabilità del sistema.
“Per cercare di contrastare in modo efficace i cambiamenti climatici – ha detto Asif Jakwani, senior vice presidente & general manager della Advanced Power Division di onsemi – la certificazione 80 PLUS Titanium richiede che server e dispositivi per l'archiviazione dei dati garantiscano livelli di efficienza nella conversione di potenza del 90% con carichi del 10% e del 96% con carichi del 50%. Le versioni FAST, Easy Drive e FRET della nostra linea SUPERFET V permettono di soddisfare tali requisiti, mettendo a disposizione una soluzione robusta che garantisce l'affidabilità di sistemi su base continua”.
Le versioni FAST assicurano i più elevati livelli di efficienza nelle topologie di commutazione “hard” (come nel caso degli stadi PFC di fascia alta) e sono ottimizzate per garantire una ridotta carica di gate (Qg) e basse perdite EOSS per consentire una commutazione veloce. I primi dispositivi comprendono i modd. NTNL041N60S5H (RDS(on) di 41 m^ e NTHL185N60S5H (RDS(on) di 185 m^), entrambi ospitati in package TO-247. NTP185N60S5H è invece disponibile in un package TO-220 mentre NTMT185N60S5H è fornito in package Power88 (di dimensioni pari a 8x8x1 mm) che garantisce la protezioni MSL 1 (contro l'umidità) e prevede una connessione “Kelvin-source” per ridurre il rumore di gate e le perdite di potenza durante la commutazione.
Le versioni Easy Drive sono invece adatte per topologie di commutazione sia “hard” sia “soft” e prevedono un resistore di gate interno (Rg) oltre a capacità interne ottimizzate. Si tratta di dispositivi di tipo general purpose da utilizzare in svariate applicazioni tra cui stadi PFC e LLC. Il diodo Zener integrato tra l'elettrodo di source e di gate (nella versione con RDS(on) di 120m^ permette di ridurre le sollecitazioni sull'ossido di gate e aumentare la resistenza alle scariche elettrostatiche (ESD), assicurando una maggiore resa in fase di assemblaggio e una diminuzione dei guasti sul campo. Attualmente sono disponibili due dispositivi, NTHL099N60S5 e NTHL120N60S5Z, con valori di RDS(on) pari rispettivamente a 99 e 120m^ entrambi forniti in package TO-247.
Le versioni a ripristino veloce (FRFET) sono adatte per topologie di commutazione di tipo “soft” come PSFB (Phase-Shifted Full Bridge) e LLC. Diodo intrinseco veloce e ridotti valori di Qrr e Trr sono le caratteristiche salienti dei dispositivi di questa serie. Il diodo, particolarmente robusto, contribuisce a migliorar l'affidabilità del sistema. NTP125N60S5FZ, con diodo Zener integrato, è caratterizzato da una RDS(on) di 125 m^ ed è offerto in package TO-220, mentre NTMT061N60S5F ha una RDS(on) di 61m^ ed è ospitato in un package Power88. Il dispositivo con le più basse perdite, NTHL019N60S5F, si distingue per una RDS(on) di soli 19m^ ed è disponibile in un package TO-247.
Informazioni su onsemi
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