APEC 2019 – Stand 611 - ANAHEIM, Kalifornien – 18. März 2019 – ON Semiconductor (Nasdaq: ON), Vorreiter im Bereich energieeffizienter Innovationen, stellt zwei neue Siliziumkarbid-(SiC-)MOSFETs vor. Die Industrieausführung NTHL080N120SC1 und der AEC-Q101 Automotive-qualifizierte NVHL080N120SC1 bieten die umfassenden Leistungsvorteile von Halbleitern mit breiter Bandlücke (WBG: Wide Band Gap) für Endanwendungen. Dazu gehören beispielsweise Automotive-DC/DC- und Onboard-Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Solartechnik und unterbrechungsfreie Stromversorgungen für Server.
Mit dieser Ankündigung stärkt ON Semiconductor sein umfassendes und wachsendes SiC-Ökosystem, das auch ergänzende Bauelemente wie SiC-Dioden und SiC-Treiber sowie Ressourcen wie Bauteil-Simulationstools, SPICE-Modelle und Anwendungsinformationen umfasst. Entwickler können damit die Herausforderungen beim Design ihrer HF-Schaltkreise meistern.
Die 1200V- und 80mΩ-SIC-MOSFETs von ON Semiconductor sind robust und entsprechen den Anforderungen moderner HF-Designs. Sie kombinieren eine hohe Leistungsdichte mit einem hocheffizienten Betrieb, was die Betriebskosten und die Größe des Gesamtsystems aufgrund eines geringeren Platzbedarfs der Bauelemente deutlich reduziert. Diese Eigenschaften bedeuten auch, dass weniger Aufwand beim Wärmemanagement erforderlich ist, was die Stücklistkosten, die Größe und das Gewicht weiter verringert.
Zu den Hauptmerkmalen und den damit verbundenen Designvorteilen der neuen Bauteile zählen ein äußerst niedriger Leckstrom; eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Umkehr-Erholungsladung (Reverse Recovery Charge), die eine wesentlich geringere Verlustleistung und einen Betrieb mit höheren Frequenzen und höherer Leistungsdichte ermöglicht; sowie niedrige Eon-/Eoff-Werte bzw. schnelles Ein- und Ausschalten in Kombination mit einer niedrigen Vorwärtsspannung, um die Gesamtleistungsverluste und damit den Kühlbedarf zu reduzieren. Eine niedrige Bauteilkapazität unterstützt das Schalten bei sehr hohen Frequenzen, was lästige EMI-Probleme reduziert. Höhere Stromstoßfestigkeit, Lawinendurchbruchsfestigkeit und Robustheit gegen Kurzschlüsse verbessern die Gesamtrobustheit, erhöhen die Zuverlässigkeit und verlängern die Lebensdauer.
Ein weiterer einzigartiger Vorteil der neuen SiC-MOSFETs ist ein patentierter Randabschluss, der die Zuverlässigkeit und Robustheit erhöht sowie für einen stabilen Betrieb sorgt. Der NVHL080N120SC1 ist für hohe Stoßströme ausgelegt und ist robust gegen Lawinendurchbrüche und Kurzschlüsse. Die AEC-Q101-Qualifizierung dieses MOSFETs und anderer SiC-Bausteine stellt sicher, dass sie in der wachsenden Zahl von Automotive-Anwendungen genutzt werden können, die sich aufgrund des zunehmenden Elektronikanteils und der Elektrifizierung des Antriebsstrangs in Fahrzeugen ergeben. Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175 °C verbessert sich die Eignung der MOSFETs für Automotive-Designs sowie für andere Anwendungen, bei denen eine hohe Bauteildichte und beschränkter Platz die Umgebungstemperaturen ansteigen lassen.
Gary Straker, Vice President und General Manager, Power MOSFET Division, Power Solutions Group bei ON Semiconductor, zur Einführung der neuen SiC-MOSFETs und dem erweiterten WBG-Ökosystem: „Immer häufiger fordern wichtige Anwendungen und aktuelle Megatrends eine Rundum-Performance, die über die herkömmlicher Silizium-Bauelemente hinausgeht. Das umfassende SiC-Portfolio von ON Semiconductor, das durch die Einführung dieser beiden neuen MOSFETs erweitert wurde und durch ein Ökosystem von Tools und Ressourcen unterstützt wird, ermöglicht nicht nur eine komplette Lösung für WBG-Bauelemente, sondern wir könnenEntwickler auch durch den Entwicklungs- und Design-in-Prozess führenund so eine Lösung erzielen, die den Erwartungen entspricht, kostengünstig ist und Zuverlässigkeit mit Langlebigkeit verbindet.“
Die SiC-Bausteine und -Lösungen von ON Semiconductor werden auf der diesjährigen APEC in Anaheim (Kalifornien) vorgestellt. Das Unternehmen plant, im Laufe des Jahres 2019 weitere WBG-Halbleiterbauelemente auf den Markt zu bringen.
Weitere Informationen:
Landing page:
Wide Band Gap
White paper:
SiC MOSFETs: Gate Drive Optimization
