January 15, 2025

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オンセミの1年を振り返る

2024年に別れを告げ、2025年を迎えるにあたり、オンセミの素晴らしい一年を彩ったイノベーションと実績を見てみましょう。業界をリードするTreoプラットフォームの発表から、Hyperlux SG、最新のEliteSiCおよびPowerTrench® MOSFET、IGBTなどの画期的な製品ファミリーの登場まで1年間の主な出来事を振り返ります。


業界最先端のアナログおよびミックスドシグナルプラットフォームTreoの発表

オンセミのTreoプラットフォーム

https://www.onsemi.jp/design/video-library/treo-platform-the-industry-s-most-advanced-analog-and-mixed-signal-platform

2024年、オンセミはインテリジェントなパワーおよびセンシングソリューション向け業界最先端のアナログおよびミックスドシグナルプラットフォームであるTreoプラットフォームを発表しました。65nm バイポーラCMOS-DMOS(BCD)技術に基づいて構築されたTreoは、1~90Vの幅広い電圧範囲をサポートし、最高175°Cの温度で動作します。このモジュール式プラットフォームは、インテリジェントなパワーマネジメントIC、センサーインタフェース、通信デバイス、および標準製品の開発を加速し、お客様の市場投入までの時間を短縮し、エンドシステムのコスト削減を可能にします。自動車、医療、産業、AIデータセンターに及ぶ幅広いアプリケーションにおいて、Treoは比類のない性能、効率、統合を提供することにより、業界に変革をもたらします。Treoプラットフォームで開発された製品は、すでに大幅な精度と機能の向上を実現しています。詳細については、onsemi.jp/Treoをご覧ください。

サンプルのご注文: セールスに連絡

技術資料: TND6465 - High Performance, Precision Analog Capability Enabled by the Treo Platform


オンセミのFS7ベースQDual3 IGBTモジュール

オンセミのQDUAL3ハーフブリッジIGBTモジュール

新しいField Stop 7(FS7)IGBT技術は、オンセミの新しいモジュールポートフォリオを進化させたもので、大きな期待が寄せられています。1200VハーフブリッジQDual3 IGBTモジュールは、この最新技術に基づいて構築されており、卓越した性能と効率を提供します。これらのモジュールは、電流密度を33%向上させることにより、セントラルソーラーインバーター、エネルギー貯蔵、および商業用、建設用、農業用車両(CAV)向けの、より小型・軽量かつ費用対効果の高い電力システムを実現します。オンセミの革新的な技術が、パワーエレクトロニクスの未来を切り開いていくのを見るのは、とても素晴らしいことです。

ウェビナー:Latest IGBT Modules for Renewable Energy and Commercial Agricultural Vehicles

ブログ:最新のField Stop 7ベースIGBTモジュールを搭載した高性能インバータ

 ビデオ: Latest onsemi 7th Gen QDual3 IGBT Modules Simplify Design and Reduce Costs


M3e EliteSiC MOSFETでSiCプレーナーの卓越した性能を体験  

オンセミのM3e MOSFET

オンセミの画期的な最新技術である1200V M3e EliteSiC MOSFETに、大きな期待が寄せられています。実績のあるプレーナー技術を活用することで、M3eテクノロジーは現在のトレンチ技術を凌駕し、短絡機能を備えた業界をリードするオン抵抗(RSP)を提供します。このブレークスルーにより、電力密度と効率の限界を引き上げることができます。オンセミは、SiC技術が進化し続けるのを踏まえて、パワーエレクトロニクスを変革するために、継続してセル構造とパッケージング技術の最適化を図ります。今後のさらなる進化にご期待ください。

技術資料:When Planar is Superior to Trench: An In-Depth Look at the Continued Evolution of Silicon Carbide MOSFETs

技術資料: Overcoming the Challenges of SiC to Ensure Application Success


Hyperlux SG:最新のイメージセンサーのポートフォリオ

Hyperlux SG

Hyperlux SGイメージセンサーファミリーは、コンパクトなアプリケーション向けARX383 (VGA) 、詳細なイメージング向けAR0145 (1MP) 、高解像度ニーズ向けAR0235 (2.3MP) で構成されています。これらのイメージセンサーは、全体として業界トップクラスのグローバルシャッター効率を実現しています。毎秒120フレームの速度で動作するように設計され、グローバルシャッター機構を採用しながら小型フォームファクターを提供しています。これにより、画像全体を一度にキャプチャーできるため、動きの速い物体も鮮明に捉えられ、モーションアーチファクトが発生しません。Hyperlux SGイメージセンサーファミリーは、動きの速い物体の追跡から、動きのある製造現場の監視まで、常に高品質な画像を提供します。豊富な解像度を選択できるため、さまざまな要件に合わせて柔軟に対応できます。これらのセンサーはコンパクトな設計なので、バーコードスキャン、マシンビジョン、ロボティクス、自律走行型モバイルロボットなど、幅広いアプリケーションに適しています。

ウェビナー: Exploring the role of Image Sensors in Robotics and Automation

ブログ:グローバルシャッタセンサによる産業オートメーションの進歩

技術資料:Cutting−Edge Global Shutter Image Sensors for High−Speed Applications


オンセミのPowerTrench®T10 MOSFETのピーク性能

PowerTrench® T10 MOSFETの利点
PowerTrench® T10 MOSFET

世界がより効率的な電力ソリューションを求める中、オンセミのMOSFET技術は、業界をリードしています。最新のT10世代を含むオンセミのPowerTrench® MOSFETは、自動車、産業、ハイパースケールAIデータセンターのアプリケーション向けに卓越した性能と信頼性を提供します。超低ゲート電荷と1ミリオーム未満のRds(on)を備えたオンセミのシールドゲート・トレンチ設計は、効率と電力密度の新たな基準を確立します。オンセミのMOSFETは、高度なパッケージング・ソリューションと組み合わせることで、より小型、軽量、かつエネルギー効率の高いシステムを可能にします。製品ポートフォリオは着実に拡大しており、2025年にはさらに多くの革新的な製品を発表予定です。

詳細情報:MOSFET技術ページ

ブログ:AIデータセンターの電力課題への対応

ビデオ:Achieving Peak Performance with onsemi PowerTrench® MOSFETs


CEM102に注目:医療および科学分野のアプリケーションを変革する

持続血糖測定

オンセミの特筆すべき成果の一つは、高性能かつ高効率なセンサーインタフェース集積回路のポートフォリオに、革新的なCEM102が加わったことです。CEM102 AFEは、アンペロメトリック測定を使用した電気化学センサーや汎用センサーをサポートするように設計されています。この革新的なICは、業界最小電力のBluetooth® Low Energy対応MCUであるRSL15と組み合わせることで、非常に低い消費電力のバイオセンサーや環境センサーで、化学的に生成された電流を正確に測定できる完全なソリューションを形成します。

CEM102は、非常に低い電流を高精度で測定できるため、持続血糖測定(CGM)および血液ガス測定における新たな可能性が広がります。低消費電力と小型フォームファクターのため、センサーの小型化が可能であり、よりコンパクトでポータブルな医療機器を実現できます。

電気化学センサーは、糖尿病の管理から環境科学まで、さまざまな分野でますます重要になっています。CEM102は正確な測定能力と高いエネルギー効率により、これらの技術の進歩において重要な役割を果たすでしょう。

関連情報:CEM102 Getting Started Materials

ビデオ:What is Electrochemical Sensing?

ビデオ:Getting Started with CEM102 and RSL15