ON Semiconductor Announces New 650V Silicon Carbide MOSFETs

2021年2月25日(米国2021年2月17日発表):

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優れたスイッチング性能と信頼性の向上により、さまざまな困難なアプリケーションにおける電力密度の向上を実現

2021年2月25日(米国2021年2月17日発表): 高効率エネルギーへのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON)は、電力密度、効率、信頼性が重要な考慮事項となる要求の厳しいアプリケーション向けに、シリコンカーバイド(SiC) MOSFETデバイスの新製品を発表しました。既存のシリコンスイッチング技術を新しい SiC デバイスに置き換えることにより、電気自動車(EV)のオンボードチャージャ(OBC)ソーラーインバータサーバー電源ユニット(PSU)、テレコム、無停電電源装置(UPS)などの用途向けに、極めて優れた性能を実現します。

車載用AECQ101 および工業用グレードで認定済のオン・セミコンダクターの新製品 650V SiC MOSFET は、シリコン製品と比較して、優れたスイッチング性能と改良された熱性能を提供する新しいワイドバンドギャップ材料をベースにしています。これにより、システムレベルの効率向上、電力密度の向上、電磁干渉(EMI)の低減、システムのサイズと重量の軽減を実現できます。

新世代の SiC MOSFET は、先進の薄いウエハ技術と組み合わせた新たなアクティブセル設計を採用しており、650V耐圧に対してクラス最高の性能指数 RSP (RDSON * 面積)を実現します。この製品シリーズに含まれる NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1、NTH4L015N065SC1 は、D2PAK7L および To247 パッケージに封止されており、市場で最小の RDSON (12mΩ) を提供します。また、この技術は、エネルギー損失の性能指数を関して最適化されており、自動車および産業用アプリケーションにおける性能を最適化します。内部ゲート抵抗 (RG) により、設計の柔軟性が増し、デバイスを外付けのゲート抵抗を使って人為的に遅くする必要がなくなります。より高いサージ電圧、アバランシェ能力、短絡回路の堅牢性向上により、信頼性の向上と、長期間のデバイス寿命を達成します。

オン・セミコンダクターのアドバンスト・パワー部門でシニア・バイスプレジデントを務めるアシフ・ジャクワニ(Asif Jakwani)は、次のように述べています。「EV のオンボードチャージャ(OBC)や、再生可能エネルギー、エンタープライズコンピューティング、テレコムなどの近代的な電力アプリケーションでは、効率性、信頼性、電力密度が常に設計の課題となっています。今回発表した SiC MOSFETの新製品は、同等のシリコンスイッチング技術よりも大幅に性能を向上させているため、このような困難な設計目標を達成に貢献します。強化された性能によって損失をより低減し、その結果 、EMIを削減し、効率を高め、熱管理の必要性を低減します。この新しいSiC MOSFET製品を使用した最終製品は、より小型・軽量で、と信頼性が高いパワーソリューションを実現します」

新デバイスはすべて表面実装で、TO247およびD2PAKなど業界標準のパッケージタイプで利用できます。

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