SCOTTSDALE, Ariz. – 9 Maggio, 2023 – onsemi (Nasdaq: ON), azienda leader nello sviluppo di soluzioni innovative ad alta efficienza energetica, ha annunciato l’introduzione dei dispositivi SiC (Silicon Carbide) da 1200 V della linea EliteSiC di ultima generazione che permettono ai progettisti che operano nel settore della potenza di ottenere la più elevata efficienza possibile a fronte di una riduzione dei costi del sistema. La nuova gamma, che comprende MOSFET EliteSiC e moduli, permette di ottenere senza problemi velocità di commutazione più elevate per supportare la crescente diffusione di OBC (On-board charger) per veicoli elettrici (EV) da 800 V e un gran numero di infrastrutture energetiche, tra cui ricarica di EV, sistemi fotovoltaici e per l’accumulo di energia.
La gamma comprende anche i nuovi dispositivi EliteSiC M3S sotto forma di moduli PIM (Power Integrated Module) in configurazione a mezzo ponte (half bridge) ospitati in package F2 standard che si distinguono per i bassissimi valori di Rds(on). Destinati ad applicazioni industriali, questi moduli rappresentano la soluzione ideale per gli stadi di conversione DC-AC, AC-DC e DC-DC ad alta potenza. Essi assicurano il più elevate livelli di integrazione con substrati DBC (Direct Bonded Copper) ottimizzati per consentire una condivisione della corrente bilanciata e una distribuzione termica uniforme tra switch paralleli. I moduli PIM sono stati ideati per garantire un’elevata densità di potenza in applicazioni quali infrastrutture energetiche, ricarica veloce in DC dei veicoli elettrici e gruppi di continuità (UPS).
“I prodotti EliteSiC M3S di ultima generazione per applicazioni automotive e industriali – ha affermato Asif Jakwani, senior vice president e general manager della Advanced Power Division di onsemi – consentirà ai progettisti di ridurre l'ingombro delle loro applicazioni e i requisiti di raffreddamento del sistema. I progettisti potranno sviluppare convertitori di elevata potenza caratterizzati da livelli di efficienza più elevati e maggiori densità di potenza”.
I MOSFET EliteSiC da 1200 V qualificati per applicazioni automotive sono progettati per OBC ad alta potenza fino a 22 kW e convertitori DC-DC per alte e basse tensioni. La tecnologia M3S, espressamente sviluppata per applicazioni a elevata velocità di commutazione, si distingue per le migliori figure di merito per quanto concerne le perdite di commutazione.
