Next-Generation onsemi 1200 V EliteSiC M3S Devices Enhance Efficiency of Electric Vehicles and Energy Infrastructure Applications

SCOTTSDALE, Arizona – 9. Mai 2023 – onsemi (Nasdaq: EliteSiC-MOSFETs und -Module, die höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen, um die wachsende Zahl von 800V-Elektrofahrzeug-/EV-On-Board-Ladegeräten (OBC) und Energieinfrastruktur-Anwendungen, wie EV-Lade-, Solar- und Energiespeichersysteme zu unterstützen.

Ebenfalls Teil des Angebots sind die neuen EliteSiC-M3S-Bausteine in integrierten Halbbrücken-Leistungsmodulen (PIMs) mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on) in einem Standard-F2-Gehäuse. Die Module zielen auf industrielle Anwendungen ab und eignen sich für DC/AC-, AC/DC- und DC/DC-Hochleistungswandler. Sie bieten ein höheres Maß an Integration mit optimierten, direkt gebondeten Kupferdesigns, die eine ausgewogene Strom- und Wärmeverteilung zwischen parallelen Schaltern ermöglichen. Die PIMs sind für hohe Leistungsdichte in Energieinfrastrukturen, DC-Schnellladestationen für EVs und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) ausgelegt.

Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager der Advanced Power Division von onsemi, dazu: „Die neuen EliteSiC-M3S-Bausteine für den Automotive- und Industriebereich ermöglichen Entwicklern, den Platzbedarf ihrer Anwendungen und die Anforderungen an die Kühlung des Systems zu reduzieren. Dies ist gerade beim Design von Hochleistungswandlern mit höherem Wirkungsgrad und größerer Leistungsdichte von Vorteil.“

Die Automotive-qualifizierten 1200V-EliteSiC-MOSFETs sind für Hochleistungs-OBCs bis 22 kW und DC/DC-Wandler für hohe bis niedrige Spannungen geeignet. Die M3S-Technologie wurde speziell für schnelles Schalten entwickelt und weist die branchenweit niedrigsten Schaltverluste auf.