onsemi and Ampt Collaboration Increases Efficiency for Utility Solar Providers

2023年1月6日（フェニックスおよびコロラド州フォートコリンズ - 2023年1月5日）インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ON）と、大規模太陽光発電（PV）およびエネルギー貯蔵システム向けDCオプティマイザの世界トップ企業であるAmpt社は、DCストリングオプティマイザの旺盛な需要に対応するために協業することを発表しました。Ampt社は、重要なパワースイッチングアプリケーションのDCストリングオプティマイザに、オンセミのシリコンカーバイド（SiC）技術EliteSiCファミリのNチャンネルSiC MOSFETを使用します。

Ampt社のストリングオプティマイザは、大規模な太陽光発電所で使用され、太陽光発電所内に設置された、低コストで高性能な太陽光発電およびDC結合されたエネルギー貯蔵システムを実現します。ストリングオプティマイザは、600～1500 VDCのシステム電圧に対して、PVアレイから高い固定電圧の電力を供給して、発電所の全体的な電流要件とコストを削減します。Amptオプティマイザは、オン抵抗とスイッチング損失が最も少ないオンセミの最新SiC MOSEFT技術を活用して、エネルギー貯蔵システムや太陽光発電所における充放電（充電と放電）効率を向上させることができます。

Ampt社のCEOであるLevent Gun氏は、次のように述べています。「オンセミのEliteSiC技術を当社のDCオプティマイザに導入することで、実用規模の太陽光発電デベロッパおよび所有者は、プロジェクトの経済性を改善できます。当社にとって重要な判断材料となったのは、当然ながら製品の性能ですが、設計段階でのオンセミの技術サポートやAmptの急速な事業拡大を支える現在の供給保証が、強力なパートナーであることの証明です」

EliteSiC 175℃デバイスは、公称80 mΩのRDS(on)、56 nCの低ゲートチャージ(Qg)値、1.7Ohmsの低Rgを提供します。また、ジャンクション温度175℃での動作が可能で、アプリケーションの熱管理要件を軽減し、より小型で低コストのソリューションを実現します。

オンセミでエグゼクティブ・バイスプレジデント兼パワー・ソリューションズ・グループのジェネラル・マネージャを務めるサイモン・キートン（Simon Keeton）は、次のように述べています。「当社のEliteSiC技術は性能と信頼性を兼ね備えており、効率と信頼性の高いDCオプティマイザを実現でき、Ampt社のような業界リーダーの期待に沿うものです。持続可能なエコシステムの実現に向けて、再生可能エネルギーアプリケーションを推進する新製品についても、引き続き協力していきたいと考えています」