ON Semiconductor Announces New Generations of SUPERFET MOSFETs and SiC Diodes at PCIM Europe 2021




2021年5月4日: オン・セミコンダクターは、スーパージャンクション(SJ)MOSFET と SiCダイオードの新製品を発表しました。

パワーアプリケーションにおいて、効率性と信頼性はますます重要になってきており、機器メーカーがより厳しい国際基準を満たすためにも重要です。650VのSUPERFET® III FAST SJ MOSFET は、他の SJ MOSFET と比べて優れたスイッチング性能を持ち、効率とシステムの信頼性を向上させます。これらの特徴は、5G、電気自動車(EV)の充電ステーション、通信、サーバー分野など、急成長する市場で高い需要があります。

オン・セミコンダクターは、EV充電ステーションやソーラーインバータ、UPS、電気自動車(EV)用オンボード充電器(OBC)、EV DC-DCコンバータなどの高電力アプリケーションに最適な、車載向けAECQ101認証済み、およびインダストリアルグレードに対応した次世代の 1200V SiC ダイオードも発表しました。SiC ダイオードは、シリコン製のダイオードに比べて信頼性が高く、低EMIで、冷却が容易であるなどの大きな利点があります。新製品の NVDSH20120C は、第1世代の SiC ダイオードに比べて、ダイサイズの縮小し、静電容量を低減しています。このシリーズ(NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C, NDSH50120C)は、順方向電圧降下の低減と定格電流の 4 倍化を実現し、変化率(di/dt)が 3500A/µs と高くなっています。また、ダイサイズを小さくすることで、F2パッケージにおける熱抵抗を 20% 低減しています。

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