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安森美半导体的碳化硅(SiC)功率模块将支持台达的太阳能光伏逆变器  French German Italian Japanese Korean

台达的三相光伏逆变器得益于SiC技术的高能效

2020年7月21日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一款适用于太阳能逆变器应用全SiC功率模块,该产品已被全球领先的电源和热管理方案供应商台达选用,用于支持其M70A三相光伏组串逆变器。

NXH40B120MNQ系列全SiC功率模块集成了一个1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有双升压级的1200 V,40 A SiC升压二极管。 SiC技术的使用提供了实现太阳能逆变器等应用中所要求高能效水平所需的低反向恢复和快速开关特性。

安森美半导体先进电源分部高级副总裁Asif Jakwani说:“碳化硅技术有潜力变革能源市场。安森美半导体开发的全SiC集成功率模块解决了太阳能逆变器在提升功率水平下对更高系统能效的需求,并证实SiC技术的成熟。”

台达光伏逆变器事业部主管Raymond Lee说:“我们专注于提供创新、清洁和节能的方案,以打造更美好的明天,我们一直在寻求与可帮助我们实现最高能效、减小产品体积和重量并满足全球太阳能光伏市场需求的供应商合作。选用安森美半导体的全SiC功率模块用于我们的M70A 70kW三相光伏组串逆变器,因为它们提供同类最佳的性能,再结合我们在高能效电力电子领域的独特专知,使我们的产品能实现高达98.8%的峰值能量转换能效。”

作为安森美半导体不断增长的基于宽禁带(WBG)技术的功率集成模块(PIM)阵容的一员,NXH40B120MNQ集成度高,引脚分配针对逆变器设计进行了优化。 通过使用SiC器件,功率模块提供低导通和开关损耗,从而支持使用更高的开关频率,有助于提高逆变能效。 这些模块易于使用,可根据客户的喜好,采用无焊压合连接和客户定义的热接口选项。

NXH40B120MNQ全SiC电源模块有2通道和3通道版本,还有2通道模块NXH80B120MNQ0,集成了一个1200 V、80 mΩ SiC MOSFET和1200 V、20 A SiC二极管。

更多资源及文档:

  • 登陆页:太阳能方案宽禁带方案
  • 视频:太阳能家居和电池储能演示
  • 关于安森美半导体
    安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问https://www.onsemi.cn

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