オン・セミコンダクターとTransphorm社が業界最先端のエネルギー効率を備えたGaNベースの電力システム・ソリューションの提供で提携Transphorm社の高電圧 GaNトランジスタを活用して共同開発した製品および電力システム・リファレンス・デザインにより、産業機器、コンピューティングおよびテレコムアプリケーション向けにこれまで実現できなかった効率と電力密度が可能に高効率エネルギーのイノベーションを推進するオン・セミコンダクター(本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq: ONNN)と電力変換を専門とするTransphorm社(本社 米国カリフォルニア州)は、産業機器、コンピューティング、テレコムおよびネットワーキング分野におけるさまざまな高電圧アプリケーションに向けた、窒化ガリウム(GaN)ベースの製品および電力システム・ソリューションの共同開発・共同マーケティングのための新たな業務提携を発表しました。 この戦略的パートナーシップは、両社独自の強みを活用しています。Transphorm社は、シリコントランジスタで量産に適した600 ボルト(V) GaNを市場に投入した初の企業として認められており、この高度な技術に取り組んできた他の追随を許さない実績があります。オン・セミコンダクターは、エネルギー効率の高い電力ソリューションを提供する主要な企業であり、システムデザインで重要な専門技術を提供し、 パワー・ディスクリート、高性能AC/DCコントローラおよび統合スイッチャから完全なカスタムASIC電力管理ソリューションまで幅広い製品群を提供しています。 電力アプリケーションにおいて、GaNはシリコンベースのデバイスと比較して、大幅なパフォーマンスの利点を実現してきました。オン・セミコンダクターとTransphorm 社が現在、共同開発している新世代のパッケージ製品は、設計者がこれまで実現できなかった効率と電力密度レベルを可能とする、信頼性の高い、適格なソリューションを提供します。 オン・セミコンダクターの上級副社長兼スタンダードプロダクトグループ・ゼネラルマネージャーのビル・ホール(Bill Hall)は次のように述べています。「オン・セミコンダクター は、GaN技術が電力エレクトロニクス市場にもたらす特有の利点を明確に認識し、当社独自のGaN開発作業を追求することに加え、この分野で高い実績が認められている主要な企業と提携します。この重要な新しいコラボレーションでは、当社の優れた電力システム・ソリューション能力と Transphorm社の GaNの専門知識を戦略的に組み合わせています。両社はこの新しい技術で顧客の信頼を促進し、幅広い市場での導入を加速できます」 Transphorm社の最高経営責任者である江坂文秀氏は次のように述べています。「オン・セミコンダクターのようなパワー半導体のリーディングカンパニーと提携することは、Transphorm社の GaN リーダーシップを確かなものにし、当社のお客様に幅広い GaN ベースの製品およびソリューションセットを提供します。この関係は市場へのGaN の迅速な浸透に重要であるだけでなく、電力変換業界全体にとっても意義深いものです」 600 V GaNトランジスタをベースとした初の共同開発ソリューションは、2014年末までに、サンプルが利用可能となる見込みです。これらのソリューションは、テレコムおよびサーバ市場の小型電源およびアダプタ向けに200 Wから1000 Wの電力範囲の高電力密度アプリケーションに対応する予定です。提携関係の条件のもとで、共同開発されたトランジスタ・パッケージ製品には、オン・セミコンダクターのカスコードスイッチ向け低電圧MOSFETシリコン、および Transphorm社の実証されたGaN高電圧の高電子移動度トランジスタ(HEMT)が含まれます。デバイスの共通パッケージへの封入、組み立ておよびテストは、オン・セミコンダクターの量産設備で行われます。 電力システム・リファレンス・デザインは、GaNデバイスの技術的利点をフルに活用するために必要となる、GaNベースのトランジスタおよび高性能AC/DCコントローラの新しいソリューションを実行可能とし、お客様に提供されます。
Transphormについて
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