オン・セミコンダクター、高効率電力変換用の高性能フィールドストップIGBTを発表新しい1200Vデバイスが高電力誘導加熱およびインバータ・アプリケーション向けの最適なソリューションを提供 します
Power Conversion Intelligent Motion (PCIM)、ニュルンベルク、ドイツ – 2012年5月15日 – 高性能・高エネルギー効率シリコン・ソリューションの大手グローバル・サプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq:ONNN)は本日、産業用モータ制御およびコシューマ製品をターゲットとする、フィールドストップIGBT(絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ)の新しいシリーズを発表しました。NGTB15N120、NGBT20N120、およびNGBT25N120は、IH調理器、電気炊飯器、その他の小型台所用器具など、要求の厳しい広範な高性能電力変換ソリューションを可能にします。 エネルギー価格の上昇や炭酸ガス放出がもたらす環境への懸念の高まりが、より高性能のパワー・ディスクリート・コンポーネント、特に高電力誘導性およびインバータ・アプリケーションの需要を絶えず押し上げています。これらの新しい定格1200 VのIGBTは、ターンオン時に低「オン」状態を維持しながら非常に低いターンオフ損失を可能にする深いトレンチ・テクノロジと最先端のウェハ薄厚化および処理手法を利用しています。これらのデバイスは15A、20A、および25Aの電流定格を選択でき、非常に低い順方向降下電圧とソフト・リカバリ高速レクティファイヤが一緒にパッケージされており、顧客の厳しい高効率の要求を満たすと同時にスペース効率の高い完全なソリューションを提供します。 オン・セミコンダクターのパワー・ディスクリート事業部シニア・ディレクタJohn Triceは、次のように語っています。オン・セミコンダクターは、10年以上にわたり自動車セグメントに高性能および高信頼性IGBTを供給している市場のリーダです。」「新しい1200 Vシリーズの高性能IGBTは、高電圧トレンチおよびウェハ処理テクノロジにおける当社の知的財産と能力を活用し、同時に幅広い市場セクタのお客様に要求条件の厳しい電源アプリケーションのための高品質で堅牢なソリューションを提供します。」 パッケージと価格
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