オン・セミコンダクターの新しいパワーMOSFETデバイスが、貴重なスペースを節約し、自動車用モジュール向けロバスト性能を提供小型フラットリード・パッケージに収納された6個の新しいAEC-Q101認定ロジック・レベルのパワーMOSFETは、高電流定格と低オン抵抗を兼ね備え、車載用機器要件に対応します![]() 2011年3月2日 – エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq:ONNN)は、小型フラットリード・パッケージに収納された6個の新しいAEC-Q101認定ロジック・レベル、シングル・チャネル、パワーMOSFETを発表しました。 これらのデバイスは、5 mm x 6 mm SO-8FLパッケージおよび3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8パッケージに封止され、実装面積が業界標準DPAKパッケージの半分以下にも関わらず、同等以下の「オン」抵抗を達成しています。これらのデバイスは、従来のDPAKパッケージ・デバイスよりも多くの貴重なボード・スペースを節約し、燃料噴射システム、モータ制御ドライバなどの自動車アプリケーションで負荷切り替え、DC-DC変換、電力管理に最適です。 オン・セミコンダクターの新しいパワーMOSFETは、耐圧30 V、40 V、60 VのNチャネルおよびPチャネル・デバイスを組み合わせて集積しており、新しい製品デザインに幅広い選択肢を提供します。オン抵抗[RDS(on)]が非常に低いため、導通損失や電力損失が少なく、高電流能力(デバイスによって6.3 A~65 A)により、高い負荷性能を実現します。AEC-Q101認可は自動車アプリケーションに対する適合性を明確に示すものです。 NVMFS4841N(30 V、65 A、シングルNチャネル)デバイスは、SO-8FLパッケージに封止されていますが、NVTFS4823N(30 V、30 A、シングルNチャネル)、NVTFS5116PL(60 V、14 A、シングルPチャネル)、NVTFS5811NL(40 V、40 A、シングルNチャネル)、およびNVTFS5826NL(60 V、20 A、シングルNチャネル)、およびNVTFS5820NL(60 V、29 A、シングルNチャネル)は、WDFN-8パッケージで提供されます。 オン・セミコンダクターのパワーMOSFET事業部の副社長Paul Leonard氏は、次のように語っています。「全体的なモジュール・サイズの小型化とロバスト性能の実現が、自動車エレクトロニクスにおける2つの基本的要件です。」「当社の新しいMOSFETデバイスがこれらの要件を満足し、自動車分野のお客様は貴重なPCB面積を節約したり、より小さなデザインにも強力な機能を取り入れることができます。」 オン・セミコンダクターの新しいMOSFETデバイスの単価は、1,500個注文時に0.39米ドルおよび0.60米ドルです。 詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。Twitterで@onsemi_jpをフォローしてください。 オン・セミコンダクターについて # # # オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュース・リリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。 |