Energy Efficient Innovations
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オン・セミコンダクタ、ショットキ・ダイオード内蔵30 V Nチャネル・パワーMOSFETにより、高電圧パワー・ソリューション製品を拡張

革新的なモノリシック・デザインがシステムの効率を改善し、EMIノイズを低減

N-channel power MOSFET2010年4月13日 – グリーン・エレクトロニクス向け高性能・高エネルギー効率シリコン・ソリューションの最有力サプライヤであるオン・セミコンダクタ(Nasdaq: ONNN)は、ショットキ・ダイオードを内蔵した新しい30V製品を発表し、Nチャネル・パワーMOSFETデバイスのポートフォリオを拡張しました。

NTMFS4897NFNTMFS4898NFNTMFS4899NFは、10 Vでの最大RDS(on)値がそれぞれ2 mΩ、3 mΩ、5 mΩで、より高い電力効率を達成するために、バック・コンバータ・アプリケーションにおける同期サイド用に最適化されています。標準ゲート・チャージ仕様は、それぞれ39.6 nC、25.6 nC、12.2 nC(Vgs = 4.5 V時)であり、スイッチャ損失も最小限に抑えられます。

オン・セミコンダクタの新しいパワーMOSFETの標準アプリケーションには、サーバ、テレコム・ネットワーク・インフラストラクチャ、PC、ノートブック・コンピュータ、およびゲーム・コンソール用のDC-DC変換、POL (point-of-load)変換、ロウ・サイド・スイッチング・タスクなどがあります。

オン・セミコンダクタの副社長兼パワーMOSFET事業部ジェネラル・マネージャ、Paul Leonard氏は次のように語っています。「基礎FET構造と同じダイにショットキを集積することによって、デッドタイム導通損失が低減され、効率と波形が改善されます。」「これらの新しいデバイスは、お客様が固有のデザイン問題を解決するための幅広い製品群を提供します。」

パッケージと価格

NTMFS4897NF、NTMFS4898NF、NTMFS4899NFはすべて熱抵抗の低いコンパクトなSO-8FL、5 mm x 6 mm、RoHS準拠パッケージで提供されます。これらのデバイスの10,000個注文時の単価はUS$0.45~US$0.90です。

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オン・セミコンダクターについて
オン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、グローバルな省エネルギー実現のためデザインエンジニアを強化し、エネルギー効率のイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターのエネルギー効率の高い、パワー&信号制御、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・ソリューションの包括的なポートフォリオは、自動車、通信、コンピューティング、民生機器、産業用機器、LED 照明、医療機器、軍事/航空宇宙および電源アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、対応力、信頼性に優れた、世界クラスのサプライ・チェーンと品質保証体制、および製造工場、営業所、デザイン・センターのネットワークを稼働させています。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

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