安森美半导体扩充高压功率方案系列,推出带集成肖特基二极管的30 V N沟道功率MOSFET创新的单片设计提供更高的系统能效及更低的电磁干扰(EMI)噪声
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及 12.2 nC,确保开关损耗也保持最低。 安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、个人计算机(PC)、笔记本电脑及游戏机的直流-直流(DC-DC)转换、负载点(POL)转换及低端开关操作。 安森美半导体功率MOSFET业务部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“集成肖特基二极管借助于集成在与初级FET结构相同的裸片中,减小死区时间导电损耗,因而提升能效及改善波形。这些新的器件为客户提供更宽阵容的产品及方案,解决他们独特的设计挑战。” 封装及价格 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低热阻抗的紧凑型5 mm x 6 mm SO-8FL封装。这些器件每10,000片批量的价格为0.45美元至0.90美元。 更多信息请访问http://www.onsemi.cn。 在新浪微博上关注@安森美半导体:www.weibo.com/onsemiconductor 关于安森美半导体 # # # 安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。 |