オン・セミコンダクタ、高電圧MOSFETポートフォリオを作成し、パワー・スイッチング製品を拡張堅牢な500 V/600 V MOSFETが、高電圧民生用および工業用アプリケーションで高速ターンオンとダイナミック電力損失低減を実現![]() 2010年2月18日 – グリーン・エレクトロニクス向け高性能・高エネルギー効率シリコン・ソリューションの最有力サプライヤであるオン・セミコンダクタ (Nasdaq: ONNN) は本日、500 Vおよび600 Vデバイスを含む高電圧パワーMOSFETポートフォリオを導入し、市場をリードするパワー・スイッチング製品群を拡張しました。これらの新しいソリューションは、力率補正(PFC)やパルス幅変調(PWM)段など、高速ターンオン時間とダイナミック電力損失が重要な、高電圧、エネルギー変換アプリケーションの強いニーズに合わせて設計されています。特に、ゲーム、プリンタ、ノートブック用電源アダプタ、そしてATX電源、LCDパネル電源、工業照明用安定器への実装に使用するのに理想的です。 新しい500Vおよび600 Vデバイスは、シングル NチャネルMOSFETで、きわめて低いRDS(on)を提供することによって電力損失を最小限に抑えます。これらのデバイスは、プレーナ・ストライプ・テクノロジを採用し、最も要求の厳しいアプリケーションでの動作が可能です。また、低ゲート電荷のためスイッチング損失が減少し、より高い電源効率も達成しています。これらのデバイスのアバランシェ・エネルギー定格は、電源アプリケーションで安定した動作を可能にします。卓越した性能により、従来よりも効率の高いパワー・サブシステムの開発が可能になります。 オン・セミコンダクタのMOSFET製品部門担当副社長兼ジェネラル・マネージャPaul Leonardは、次のように述べています。「このポートフォリオの導入は、オン・セミコンダクタが高電圧パワーMOSFET市場に参入するための最初のステップです。」「当社は、500 Vから600 Vの負荷スイッチング・ソリューションの包括的セレクションを提供することによって、お客様の総合的な電源管理ニーズにより的確に対応するために、この時期に戦略的に高電圧スイッチング市場に参入しました。将来を見据えて、ターゲットとなる民生および工業分野のお客様のためのソリューションを有する高電圧パワーMOSFETのポートフォリオを継続的に拡張します。これはオン・セミコンダクタが、エネルギー効率の高い電源ソリューションで業界をリードする企業としての地位を強化するために努力しているひとつの例です。」
新たに発表された600 V MOSFETデバイスは、次のとおりです。 新たに発表された500 V MOSFETデバイスは、次のとおりです。 The NDF05N50ZG and NDF08N50ZG will be featured in a demonstration of a power supply and LED backlight for an LCD TV at the Applied Power Electronics Conference (APEC) at ON Semiconductor’s booth No. 315 on February 21-25, 2010 in Palm Springs, CA. 詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。 Twitterで@onsemi_jpをフォローしてください。 オン・セミコンダクターについて # # # オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュース・リリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。 |