安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值,能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰![]() 2010年2月2日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN) 扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。 安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件,符合RoHS指令,关键的规范特性包括:
• 导通阻抗(RDS(on))低至13毫欧(mΩ) 安森美半导体MOSFET产品部副总裁兼总经理Paul Leonard说:“为了应对开关电感型负载时潜在的大电压尖峰,以及推动更高能效,安森美半导体的N沟道功率MOSFET提供强固及可靠的方案。我们100 V产品系列新增的器件为客户提供更多的选择,帮助他们获得适合他们特定应用的最优器件。” 封装及价格 更多信息请访问安森美半导体网站:http://www.onsemi.cn。 在新浪微博上关注@安森美半导体:www.weibo.com/onsemiconductor 关于安森美半导体 # # # 安森美半导体和安森美半导体图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。 |