オン・セミコンダクタ、オートモーティブ対応の自己保護型ローサイドMOSFETドライバICを発売SOT-223、DPAKおよび SOIC8 パッケージで提供されるNCV840xデバイス・ファミリは、過酷な自動車環境や産業環境において堅牢で信頼性の高いドライブ機能を提供
米国アリゾナ州フェニックス – 2010年1月4日 – 高性能および高エネルギー効率シリコン・ソリューションの大手グローバル・サプライヤであるオン・セミコンダクタ(Nasdaq: ONNN)は本日、高レベルの保護機能を集積したローサイド保護MOSFETを発表しました。NCV840xファミリのデバイスは、AEC-Q101規格に準拠しており、過酷な自動車環境や産業環境で動作するスイッチング・アプリケーションでの使用に最適です。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D (デュアル・ダイ)、NCV8403およびNCV8405はすべて、堅牢で高信頼性動作用に設計されており、幅広い自己保護機能を備えています。これらの機能には、温度および電流制限、静電気放電(ESD)保護、過電圧保護用集積ドレイン-ゲート間クランピングなどがあります。 オン・セミコンダクタのオートモーティブ・パワー製品担当ディレクタJim Alvernazは、次のように語っています。「自動車における電子部品の量は増加し続けており、部品点数と貴重なスペースの削減に寄与する半導体ソリューションを提供する必要があります。」「NCV840xファミリは、過酷な自動車環境で使用するのに十分な耐久性を備えたシステム・デザインを実現しながら、これを達成しています。」 特長と利点 NCV8401、NCV8402/D およびNCV8403 のドレイン-ソース間電圧定格(VDSS)は42Vで、最大ドレイン電流(ID)はそれぞれ33 A、2 A、15 Aです。NCV8405は40 VDSSで定格が規定されており、最大ID定格は6 Aです。ゲート-ソース間電圧はどのデバイスも±14 Vです。 新しいファミリのすべてのメンバは、オン抵抗(RDS(ON))値が低いため、よりエネルギー効率の高いシステム・デザインが可能です。NCV8401、NCV8402/D、NCV8403、NCV8405の(10 Vでの)RDS(ON)値は、それぞれ23 mΩ、165 mΩ、53 mΩ、90 mΩ です。 すべてのデバイスが−40 ~150 °Cの広い動作温度範囲と高い静電抵抗レベル(接合部温度25℃で4000 V)を備えています。ターンオフ温度限界はVGSが5Vのときに175℃、10Vのときに165℃に設定されています。 パッケージと価格 詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。 Twitterで@onsemi_jpをフォローしてください。 オン・セミコンダクターについて # # # オン・セミコンダクターおよびオン・セミコンダクターのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュース・リリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。 |